Comienza la fabricación de Universal Flash Storage Samsung 512gb

Comienza la fabricación de Universal Flash Storage Samsung 512gb

Samsung ha comenzado a fabricar una nueva solución en memoria para la próxima generación de dispositivos móviles, la eUFS (Embedded Universal Flash Storage).

Este nuevo tipo de memoria utiliza chips Nand Flash V-Nand 3D de 64 capas y tiene la posibilidad de ofrecer hasta 512gb de almacenamiento por unidad.

Estas memorias se podrán integrar en los próximos smartphones, tablets y dispositivos moviles que hagan uso de memoria flash pero con la ventaja respecto de otros fabricantes como Toshiba, Micro o Intel, de que tiene la infraestructura suficiente para producir una cantidad acorde de la misma a la demanda que pueda tener del mercado y no generar escases.

Gracias a esta memoria será posible almacenar hasta 512gb de datos en el mismo espacio físico que antes se almacenaban 256gb ya que utiliza el mismo formato de forma y tamaño que la generación previa.

Mas precisamente la nueva memoria cuenta con chips de 8 pilas de memorias V-Nand de 64 capas en conjunto con un chip controlador que hace posible tanta capacidad y densidad en el mismo tamaño de la generación anterior, sin dudas un grán avance.

Tambien otras ventajas de estas memorias aparte de la gran densidad y almacenamiento son las velocidades de trabajo de la misma llegando bajo lectura secuencial a los 860mb/s y escritura secuencial a 255mb/s, mientras que en operaciones aleatorias de transferencia la lactura puede alcanzar los 42000 IOPS y la esctritura los 40000 IOPS.